请问论坛里的大师们这30N600 G50T60两个管子能互相代换吗？

三星SAMSUNG

        本人维修一个电动四轮车的充电器，开关管击穿短路！原型号是30N60,在淘宝上购买这个管子，商家发来却是G50t60的，按商家说的装上试试，好用的，说是通用的，可以互相代换！由于本人资料有限！无法确准这个情况！所以请论坛的大师傅帮我确认一下这两个管子可否代用！

满江红

G50T60 - IGBT

IGBT可以直接代换功率场效应管？

l3387555

Infineon-IGW50N60T-DataSheet-v02_08-EN.pdf (461.21 KB, 下载次数: 0)

2024-10-9 23:06 上传

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2024-10-9 23:06 上传

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l3387555

30n60
没有更详细的前缀后缀
有可能是场管
也有可能是IGBT

但是......一个充电器，场管的可能性比较大

吉祥树

进来支持一下

春法维修

场管的工作频率高于IGBT，两者一般不可代换。

家电资料

我用电磁炉上的IGBT代替过充电器上的场管，能正常工作，也没有发热的情况。那次也仅仅是实验一下，没长时间观察

szwj10685378

30n60场效应管参数  30N60是一种N沟道MOS场效应管，其参数如下：   最大漏极电压：Vdss=600V 最大漏极电流：Id=30A 最大功率：Pd=290W 静态电阻：Rds(on)=0.26Ω 门源电压：Vgs=±30V

wgjjdwx

家电资料 发表于 2024-10-10 08:19
我用电磁炉上的IGBT代替过充电器上的场管，能正常工作，也没有发热的情况。那次也仅仅是实验一下，没长时间 ...

38系列的驱动输出峰值12V,而IGBT驱动电压为15V-20V，代换会出现小负载正常，大负载电压偏低。

szwj10685378

‌G50T60场效应管规格与特性‌‌

关于G50T60场效应管的详细规格和特性，由于直接针对G50T60的详细参数信息较为稀缺，我们可以参考类似型号或类别的‌MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的通用参数来进行说明。虽然FGA50N60LS与G50T60在型号上不完全一致，但两者都属于高电压、大电流的MOSFET，因此其参数具有一定的参考价值。

主要电气参数（参考FGA50N60LS）：

‌最大漏源电压(VDS)‌: 600V。这是MOSFET能承受的最大漏极到源极电压。

‌最大漏极电流(ID)‌: 50A。表示MOSFET在特定条件下能持续通过的最大电流。

‌‌导通电阻(RDS(on))‌: 0.18Ω（在VGS = 10V时）。这是MOSFET在导通状态下的电阻，影响功率损耗和效率。

‌最大脉冲漏极电流(IDM)‌: 150A。表示MOSFET在短时间内能承受的脉冲电流。

‌‌输入电容(Ciss)‌ 和 ‌输出电容(Coss)‌: 分别为1350pF和520pF。这些电容影响MOSFET的开关速度和功耗。

‌‌反向恢复时间(trr)‌: 250ns。这是MOSFET从导通到关断过程中，电流下降到零所需的时间。

‌最大工作温度(Tj)‌: 150℃。表示MOSFET能正常工作的最高温度。