电子技术论坛

 找回密码
 快速注册

QQ登录

只需一步,快速开始

搜索
搜索附件  
© 电子技术论坛 文件下载中心

请问论坛里的大师们这30N600 G50T60两个管子能互相代换吗?: sgw30n60-NdPQpTGE-bqVPKa6jy.pdf

 

请问论坛里的大师们这30N600 G50T60两个管子能互相代换吗?
        本人维修一个电动四轮车的充电器,开关管击穿短路!原型号是30N60,在淘宝上购买这个管子,商家发来却是G50t60的,按商家说的装上试试,好用的,说是通用的,可以互相代换!由于本人资料有限!无法确准这个情况!所以请论坛的大师傅帮我确认一下这两个管子可否代用!
‌G50T60场效应管规格与特性‌‌

关于G50T60场效应管的详细规格和特性,由于直接针对G50T60的详细参数信息较为稀缺,我们可以参考类似型号或类别的‌MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的通用参数来进行说明。虽然FGA50N60LS与G50T60在型号上不完全一致,但两者都属于高电压、大电流的MOSFET,因此其参数具有一定的参考价值。

主要电气参数(参考FGA50N60LS):

‌最大漏源电压(VDS)‌: 600V。这是MOSFET能承受的最大漏极到源极电压。

‌最大漏极电流(ID)‌: 50A。表示MOSFET在特定条件下能持续通过的最大电流。

‌‌导通电阻(RDS(on))‌: 0.18Ω(在VGS = 10V时)。这是MOSFET在导通状态下的电阻,影响功率损耗和效率。

‌最大脉冲漏极电流(IDM)‌: 150A。表示MOSFET在短时间内能承受的脉冲电流。

‌‌输入电容(Ciss)‌ 和 ‌输出电容(Coss)‌: 分别为1350pF和520pF。这些电容影响MOSFET的开关速度和功耗。

‌‌反向恢复时间(trr)‌: 250ns。这是MOSFET从导通到关断过程中,电流下降到零所需的时间。

‌最大工作温度(Tj)‌: 150℃。表示MOSFET能正常工作的最高温度。

手机版|家电维修技术论坛 ( 鄂ICP备09003585号-2 )

GMT+8, 2024-11-21 23:04 , Processed in 0.315626 second(s), 6 queries , Gzip On, MemCache On.

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

CopyRight © 电子技术论坛
电子邮箱:8794149@qq.com | 联系 QQ:3081868839 | 官方网址:www.dzdu.com

Qiji. All Rights Reserved


服务条款 | 站长声明

Wuhan Qiji Technology Co., Ltd.武汉奇迹科技有限公司版权所有


鄂ICP备09003585号-2鄂公网安备42010602000420号

返回顶部