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[电子元件] MOS管能用IGB代换吗?

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发表于 2020-3-12 17:30:10 | 显示全部楼层 |阅读模式

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用电磁炉IGBT25N120代换场效应管8N60C可以吧?
发表于 2020-3-12 17:34:48 | 显示全部楼层
怎么会可以?不行!!!!
发表于 2020-3-12 17:41:36 | 显示全部楼层
知道那型号是什么意思?
25N120是25A1200V的参数呀!并且是复合管,前面是场效应后面是三极管!
发表于 2020-3-12 17:44:55 来自手机 | 显示全部楼层
恐怕不妥吧!这么常用的场效应管为啥要代换?
发表于 2020-3-12 17:58:10 | 显示全部楼层
参数差得远,一个25安,一个才8安,耐压一个1200v,一个才700v,而且前者内置阻尼二级管,前者是复合管,结构与后者更使不同,估计只有工作频率相差不大,所以不能代换
发表于 2020-3-12 18:34:05 | 显示全部楼层
完全两个概念
 楼主| 发表于 2020-3-12 18:41:20 | 显示全部楼层
那么如果直接代换会坏吗?或者会有什么后果?从驱动形式来看没什么不同啊?
发表于 2020-3-12 19:04:50 | 显示全部楼层
可以代的。我用过。
发表于 2020-3-12 19:15:54 | 显示全部楼层
试试不就知道了
发表于 2020-3-12 19:35:36 | 显示全部楼层
我修过一种老款的电磁炉用的就是场效应管,而且8个管并联所有,每个场效应管下都有一个限流电阻。
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