内部FLASH程序存储器读写操作步骤

张洪胜 · 发表于 2010-10-5 19:27:29

注册家电维修技术论坛，与同行畅聊维修技术，享更多技术论坛功能。

您需要登录才可以下载或查看，没有帐号？快速注册

x

内部FLASH程序存储器读写操作步骤
读取FLASH程序存储器的操作步骤如下
1、把地址低8位写入到EEADR,把地址高5位写入EEADRH中，注意该地址不能超过目标单片机内部FLASH实际容量。
2、把控制位EEPGD置1，以选定去读对象为FLASH程序存储器。
3、把控制位RD置1，启动本次读操作。
4、执行两条NOP指令，以插入等待时间。
5、读取已经反馈到EEDATA中的数据（低8位）和EEDATAH中的数据（高6位）。

烧写FLASH程序存储器的步骤：
1、把长地址码分两步送入地址寄存器对EEADRH:EEADR中，并且保证地址不能超出目标单片机内部FLASH的最大地址范围。（870/871/872，2K*14;873/874, 4k*14,876/877,8k*14）
2、把准备烧写的14位数据分两步送入数据寄存器对EEDATH:EEDATA中。
3、控制位EEPGD置位，以指定FLASH作为烧写对象。
4、把写使能位WREN置1，允许后面进行写操作。
5、清除全局中断控制位GIE，关闭所有中断请求。
6、执行专用的“5指令序列”，这5条指令是固定搭配，用1条移动指令把55H写入W,用一条移动指令把W中的55H转入控制寄存器EECON2中，用1条移动指令把AAH转入控制寄存器EECON2中；把写操作启动控制位WR置1。
7、执行两条NOP指令，给单片机足够的进入写操作的时间。
8、放开中断总屏蔽位（如果打算利用EEIF中断功能的话）。
9、清除写允许位WREN,在本次写操作没有完毕之前，禁止重开新的一次写操作。

当写操作完成时，控制位WR被硬件自动清零，中断标志位EEIF被硬件置1（该位必须由软件请0）。由于在对FLASH的写操作期间，CPU不能执行任何命令，因此，就不能使用软件查询方式检验WR状态或EEIF标志位，来判定写操作是否完成。

黎明的曙光 · 发表于 2010-10-5 20:20:49

谢谢分享，虽说没遇到过，看看学习了

百行家维 · 发表于 2010-10-5 20:23:11

谢谢版主，我先学习了。

cjdd · 发表于 2010-10-6 08:56:59

谢谢版主。

专业 · 发表于 2010-10-6 19:48:43

没有搞过................学习了

玉树林风 · 发表于 2010-10-6 23:55:52

谢谢资料分享

杨得均 · 发表于 2010-10-11 22:13:36

谢谢版主。学习了

追梦人吕 · 发表于 2010-10-12 07:07:37

接触电脑很少。还是不知怎么操作

姜家电器修理 · 发表于 2010-10-12 10:55:10

谢谢分享，继续学习

hehaitaoxyz · 发表于 2010-10-12 16:57:03

学习了！！！

		自动登录	找回密码
密码			快速注册

下载方法\|用单线程\|避免多扣	帖子规范\|求助必读\|发帖建议	积分策略\|勋章介绍\|新人必读	获取金币\|推广论坛\|出售帖子	基本礼节\|致会员信\|版规总则
禁涉政治\|反对低俗\|举报专帖	征集相片\|留下足迹\|推荐精华	上传附件\|制作分卷\|使用网盘	禁发qq群\|恶意灌水\|纯表情帖	加入团队\|监督机制\|安全上网

[液晶检修] 内部FLASH程序存储器读写操作步骤

注册家电维修技术论坛，与同行畅聊维修技术，享更多技术论坛功能。