详解LED芯片的分类

佑泽电子

下面由佑泽小编带你了解
1.MB芯片定义与特点
定义：MetalBonding(金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。特点：

1）采用高散热系数的材料---Si作为衬底，散热容易。

Thermal Conductivity

GaAs：46W/m-KGaP：77W/m-K

Si：125～150W/m-K

Cupper：300~400W/m-k

  SiC：490W/m-K

（2）通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

（3）导电的Si衬底取代GaAs衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍)，更适应于高驱动电流领域。

（4）底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。

（5）尺寸可加大，应用于Highpower领域，eg：42milMB。

  2.GB芯片定义和特点

定义：GlueBonding(粘着结合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。特点：

（1）透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

（2）芯片四面发光，具有出色的Pattern图。

（3）亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

（4）双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

3.TS芯片定义和特点

定义：transparentstructure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP的专利产品。特点：

(1)芯片工艺制作复杂，远高于ASLED。

(2)信赖性卓越。

(3)透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。

(4)应用广泛。

白发老头、

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