P沟道MOS稳压电源实验（1）

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LINYIKAI 发表于 2017-9-26 09:34
你去掉47K电阻试试？

谢谢关注，47K和10K是G极偏置电路，取消47K IRF9540就得不到负偏压了，也就不导通了。

LINYIKAI

加大10K电阻可以减小反馈量

1126447253

LINYIKAI 发表于 2017-9-26 09:44
加大10K电阻可以减小反馈量

我也考虑，不是电路错误，就是电路元件参数不合理。

从现象看，反馈电路是有问题的。

1126447253

LINYIKAI 发表于 2017-9-26 09:44
加大10K电阻可以减小反馈量

我有个想法不知对否，电路本身是不是不合理？

在所有431稳压电源中，431的K极应直接与调整管的B（三极管）和G（MOS）连接。这个图做不到这一点，所以431的稳压反馈电路就失效了。

LINYIKAI

lv2005100 发表于 2017-9-26 08:55
对，MOS管不能用于线性电路中，MOS管是电压型控制管，控制电压超过门槛电压时就导通（0点几欧），少于时 ...

你搞错了哥们，场效应管的导通电阻是随着G极电压的变化而变化的，一般3V就能导通但是内阻比较大，10V基本完全导通（这一点还要看管子的质量），在开关电路中为了防止场效应管处于放大状态增加损耗，所以场效应管的驱动电源是有要求的一般是15V，IGBT是18V到20V。

LINYIKAI

lv2005100 发表于 2017-9-26 08:55
对，MOS管不能用于线性电路中，MOS管是电压型控制管，控制电压超过门槛电压时就导通（0点几欧），少于时 ...

你搞错了哥们，场效应管的导通电阻是随着G极电压的变化而变化的，一般3V就能导通但是内阻比较大，10V基本完全导通（这一点还要看管子的质量），在开关电路中为了防止场效应管处于放大状态增加损耗，所以场效应管的驱动电源是有要求的一般是15V，IGBT是18V到20V。

LINYIKAI

1126447253 发表于 2017-9-26 10:00
我有个想法不知对否，电路本身是不是不合理？

在所有431稳压电源中，431的K极应直接与调整管的B（三极 ...

没有完全失效只是过补偿，你试一下减小反馈量应该会好些，但是这个电路的稳压精度不是很高

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请看【关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作电源开关】

LINYIKAI

1126447253 发表于 2017-9-26 09:41
谢谢关注，47K和10K是G极偏置电路，取消47K IRF9540就得不到负偏压了，也就不导通了。

过流保护的基极和发射机电阻只有0.22欧姆，要想在0.22欧姆的电阻上产生0.7伏特的电压，那么47K电阻的上端要多高的电压？所以说那47K电阻是多余的应该是装不装都一样的。

1126447253

LINYIKAI 发表于 2017-9-26 10:10
没有完全失效只是过补偿，你试一下减小反馈量应该会好些，但是这个电路的稳压精度不是很高

好的，我试一试。