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[电子元件] 急求33N25T参数!

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发表于 2017-5-14 12:18:17 | 显示全部楼层 |阅读模式
10金币
       如标题,哪位师傅知道?

最佳答案

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通道类型 N 最大连续漏极电流 33 A 最大漏源电压 250 V 最大漏源电阻值 94 mΩ 最小栅阈值电压 3V 最大栅源电压 ±30 V 封装类型 TO-220F 安装类型 通孔 晶体管配置 单 引脚数目 3 通道模式 增强 最大功率耗散 37 W 典型关断延迟时间 75 ns 宽度 4.9mm 高度 16.07mm 典型接通延迟时间 35 ns 正向跨导 26.6S 正向二极管电压 1.4V 系列 UniFET 最高工作温度 +150 °C 典型输入电容值@Vds 1640 pF @ 25 V ...
发表于 2017-5-14 12:18:18 | 显示全部楼层
        通道类型        N
        最大连续漏极电流        33 A
        最大漏源电压        250 V
        最大漏源电阻值        94 mΩ
        最小栅阈值电压        3V
        最大栅源电压        ±30 V
        封装类型        TO-220F
        安装类型        通孔
        晶体管配置        单
        引脚数目        3
        通道模式        增强
        最大功率耗散        37 W
        典型关断延迟时间        75 ns
        宽度        4.9mm
        高度        16.07mm
        典型接通延迟时间        35 ns
        正向跨导        26.6S
        正向二极管电压        1.4V
        系列        UniFET
        最高工作温度        +150 °C
        典型输入电容值@Vds        1640 pF @ 25 V
        典型栅极电荷@Vgs        36.8 nC @ 10 V
        最低工作温度        -55 °C
        晶体管材料        Si
        尺寸        10.36 x 4.9 x 16.07mm
        长度        10.36mm
        生产商    仙童

评分

参与人数 2威望 +6 收起 理由
wangji + 4 热心助人!
FSKD + 2 谢谢师傅

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发表于 2017-5-14 12:39:15 | 显示全部楼层
33A/250V~~~~~~~~~~~~~~~
发表于 2017-5-14 12:58:45 | 显示全部楼层
33N25T之全称为FDPF33N25T,是一N沟道功率场效应管,其参数见下:

类别:        FET - 单
制造商 Fairchild Semiconductor(注:美国仙童公司)
描述:        MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
详细参数
类别        FET - 单
描述        MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
系列        UniFET™
制造商        Fairchild Semiconductor
FET型        MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点        标准
漏极至源极电压(Vdss)        250V
电流_连续漏极(Id)0a025000C        33A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C        94 毫欧 @ 16.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大222        5V @ 250μA
闸电荷(Qg)0a0Vgs        48nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds        2135pF @ 25V
功率_最大        37W
安装类型        通孔
封装/外壳        TO-220-3 整包
供应商设备封装        TO-220F

 楼主| 发表于 2017-5-14 13:30:56 | 显示全部楼层
万安彩电维修 发表于 2017-5-14 12:18
通道类型        N
        最大连续漏极电流        33 A
        最大漏源电压        250 V

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