NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域:

快乐2016 · 发表于 2016-11-21 18:50:26

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1.截止区：

  其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE<=UON且UCE>UBE 。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。

2.放大区：

  其特征是发射结正向偏置（UBE大于发射结开启电压UON）且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE>UON且UCE>=UBE （即UC>UB>UE）。此时的，iC几乎仅决定于IB，而与UCE无关，表现出IB 对 iC的控制作用，IC=?IB。在理想情况下，当IB按等差变化时，输出特性是一组横轴的等距离平行线。（简单的说对于NPN型管子,是C点电位>B点电位>E点电位,对PNP型管子,是E点电位>B点电位>C点电位,这是放大的条件.）

3.饱和区：

  其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE>UON且 UCE<UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC<?IB。在实际电路中，如晶体管的UBE增大时，IB随之增大，但IC增大不多或基本不变，则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管，可以认为当UCE=UBE，及UCB=0时，晶体管处于临界状态，及临界饱和和临界放大状态。

  要想使管子饱和导通,则应该(NPN型)Ub>Ue,Ub>Uc;(PNP型)Ue>Ub,Uc>Ub。

  在模拟电路中，绝大多数情况下应保证晶体管工作在放大状态。

　　当be、ce两个P-N结都是正偏时，三极管饱和导通。导通后c、e极间的电压Uce比P-N结的导通电压低。硅管约0.3V，锗管约0.1V左右。
　　在光耦中，三极管只要有基极电流，就有可能导通。看三极管
集电极所接的电阻大小，在电阻比较大时，只要比较小的基极电流就可能使三极管导通

爱好卫视 · 发表于 2016-11-21 19:02:28

基础理论，必须扎实的掌握。

快乐2016 · 发表于 2016-11-21 19:27:00

前辈说的是

快乐2016 · 发表于 2016-11-21 19:28:22

呵呵前辈说的是

刘正坤 · 发表于 2016-11-21 20:07:18

呵呵其实就几点管子截止电压等于电源电压左右，放大集基电压1到2伏，大功率3伏，饱和导通集射间0.7伏左右

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[电子元件] NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件，晶体管的工作区域可以分为三个区域:

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