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手机充电器的原理图

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发表于 2014-3-30 12:47:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 1362431345 于 2014-3-30 12:48 编辑

    光耦左边的两个三极管1是开关管,Q2是稳压管,市电经D整流C1滤波后由R1降压的电压加至Q1基极,Q1导通,电流流过B1,在C2端产生感应电压经C2;R2反馈到Q1基极,Q1很快饱,应该如下图红线所示:
94cad1c8a786c917aa8281e3c93d70cf3ac75763.jpg
    以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标""代表"峰";而下标"V"代表"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。D4电流的大小影响光耦发光管的明暗程度,也就是间接的形成稳压效果.

发表于 2014-3-30 13:02:50 | 显示全部楼层
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发表于 2014-3-30 13:07:23 | 显示全部楼层
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发表于 2014-3-30 13:14:54 | 显示全部楼层
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发表于 2014-3-30 13:28:33 | 显示全部楼层
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发表于 2014-3-30 14:33:09 | 显示全部楼层
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发表于 2014-3-30 15:43:14 | 显示全部楼层

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发表于 2014-3-30 15:45:34 | 显示全部楼层
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发表于 2014-3-30 15:58:00 来自手机 | 显示全部楼层
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