中国半导体器件型号命名方法

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中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：



第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管
　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
　第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、

V-微波管、

W-稳压管、

C-参量管、

Z-整流管、

L-整流堆、

S-隧道管、

N-阻尼管、

U-光电器件、

K-开关管、

X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、

G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、

D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、

A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、

T-半导体晶闸管（可控整流器）、

Y-体效应器件、

B-雪崩管、

J-阶跃恢复管、

CS-场效应管、

BT-半导体特殊器件、

FH-复合管、

PIN-PIN型管、

JG-激光器件。
　第四部分：用数字表示序号
　第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如：3DG6表示NPN型硅材料高频三极管

海通售后

不错，好

adm007

好多东东要记.累啊,不过很感谢楼主

adm007

好多东东要记.累啊,不过很感谢楼主