P沟道MOS稳压电源实验（1）

无有 · 发表于 2017-9-26 10:19:47

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lv2005100 · 发表于 2017-9-26 10:21:25

LINYIKAI 发表于 2017-9-26 10:04
你搞错了哥们，场效应管的导通电阻是随着G极电压的变化而变化的，一般3V就能导通但是内阻比较大，10V基本 ...

不是很赞同，比如好多的MCU芯片都是3.3V供电的，那它控制MOS管就只能发热很严重呢。实际上呢，像电脑主板上MOS管，3.3V控制电压，流过的电流还很大，实际上不是很烫。

1126447253 · 发表于 2017-9-26 10:23:32

3106185359 发表于 2017-9-26 10:13
请看【关于使用P-ChannelMOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作电源开关】

谢谢帮忙，打不开啊。

LINYIKAI · 发表于 2017-9-26 10:39:04

lv2005100 发表于 2017-9-26 10:21
不是很赞同，比如好多的MCU芯片都是3.3V供电的，那它控制MOS管就只能发热很严重呢。实际上呢，像电脑主板 ...

电脑主板上的场效应管那些是属于低压高跨导的场效应管。

tjj136 · 发表于 2017-9-26 10:49:58

学习了！！

3106185359 · 发表于 2017-9-26 10:50:35

应该打得开呀。实在打不开时，就直接输入【关于使用P-Channel MOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的控制电路说明】（阅读文档 2页 30积分上传时间：2012年4月19日），搜索查看吧。

1126447253 · 发表于 2017-9-26 11:38:19

3106185359 发表于 2017-9-26 10:50
应该打得开呀。实在打不开时，就直接输入【关于使用P-Channel MOSFET-P沟道绝缘栅型场效应管作为电源开关的 ...

这个方法也试过了，搜到标题，打开不是此文。

lxwt · 发表于 2017-9-26 14:02:03

当负载增加时，0 .22欧电阻上的电压增加，会导致2N5551的集电极电压下降，直接破坏TL431工作状态。

1126447253 · 发表于 2017-9-26 15:08:41

lxwt 发表于 2017-9-26 14:02
当负载增加时，0 .22欧电阻上的电压增加，会导致2N5551的集电极电压下降，直接破坏TL431工作状态。

朋友，您分析的很对。就是利用这个过程来达到限制电流的。

kazefsh · 发表于 2017-9-29 15:58:10

47K电阻改小，输出加电容。这是multisim模拟的结果

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