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[三极管] IRFP360LC如何用万用表判断好坏

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发表于 2016-8-5 09:00:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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逆变器用的IRFP360LC如何用万用表判断好坏。
发表于 2016-8-5 09:06:27 | 显示全部楼层
VMOS场效应管的万用表判断
    判定场效应管的电极将表置于Rxlk挡,分别测量三个电极之间的电阻,如果测得某一电极与其余两电极的电阻值均为无穷大,且对换表笔测量时阻值仍为无穷大,则说明此极为栅极G,因为它和另外两个管脚是绝缘的。此法仅对管内无保护二极管二极管的VMOS管适用!
    由于源—漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。将VMOS管三个电极短接一下,然后将表置于R×1k挡,用交换表笔的方法测两次电阻。其中阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的为漏极D,红表笔所接的是源极S。阻值较小的(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。

  估测VMOS管放大能力可用R×10k挡,红表笔接源极,黑表笔接漏极。用手接触栅极,管子的电阻应有明显的变化,变化越大则管子的跨导越高。如果用R×1k(或R×100)档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有明显偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高。

    测量漏—源通态电阻RDS(on)时,先将G-S极短路,用R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧。由于测试条件不同,测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。如用500型表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

    注意:VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管,测量时应交换表笔的位置。

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